1、和NMOS一样，PMOS的工作区域分为非饱和区、临界饱和点和饱和区。当然，无论是NMOS还是PMOS，在没有形成反型沟道时，都处于关断区，它们的电压条件如下

2、|VGS|gt|VTP (PMOS)|

(资料图片仅供参考)

3、值得注意的是，VGS和VTP的PMOS都是负的。

4、PMOS集成电路是一种适合低速和低频应用的器件。PMOS集成电路由-24V电压供电。

5、MOS场效应晶体管具有较高的输入阻抗，便于在电路中直接耦合，易于做成大规模集成电路。因为PMOS是N型硅衬底，其中大部分载流子是电子，少数载流子是空穴，源区和漏区的掺杂类型是P型，

6、PMOS的工作条件是在栅极上施加相对于源极的负电压，即在PMOS的栅极上施加负电子，同时在衬底上感应出可移动的正空穴和带固定正电荷的耗尽层。

7、当达到强反型时，在相对于源极为负的漏源电压作用下，源极的正电荷空穴通过导电的P沟道到达漏极，形成从源极到漏极的源漏电流。同样，负VGS越大(绝对值越大)，通道的导通电阻越小，电流值越大。

8、Vgs是什么电压

9、Vgs是MOS晶体管的驱动电压，首先分为NMOS和PMOS。

10、然后分为增强型和耗尽型。

11、增强型NMOS晶体管的Vgs一般是大于0的电压，插片式一般在12V左右，贴片式可以做到5 V

12、耗尽模式的开启电压与增强模式类似，但其关断电压为负电压，实际使用不多。

13、PMOS和NMOS具有相反的电压。

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